广闳推出业界顶级导通电阻规格MOSFET 助力AI服务器电源与高功率应用再升级

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新竹 – 2025年6月16日 — 广闳科技以其最新先进功率MOSFET技术，推出涵盖80V、100V及150V耐压系列产品。这些产品采用领先Trench技术，以极低的导通电阻 (RDS(ON)) 和低闸极电荷 (Qg) 为核心优势，大幅提升AI服务器及其他高功率应用系统的整体效率和可靠性。其中80V耐压功率MOSFET产品iMN007N08T，其导通电阻(RDS(ON))仅0.7mΩ，实现了目前业界同级产品中的最高规格。同时100V耐压功率MOSFET产品iMN009N10T、iMN01N10T的(RDS(ON))低于1.2 mΩ，150V耐压功率MOSFET产品iMN035N15T的(RDS(ON))为 3.2 mΩ皆为业界顶级水平。超低的导通电阻能显著减少能源损耗，直接转化为更优异的系统能源效率。

本系列产品均采用TOLL 封装技术。TOLL (TO-Leadless) 封装技术是一种紧凑型表面贴片式(SMD)解决方案，因应电子元件对高功率密度的严苛要求而生，在小型化、高功率密度、高效率、优异散热特性及高可靠性等方面表现卓越，在电源应用领域获得广泛认可。此系列产品专为高功率应用量身打造，具备高效能、高质量与稳健性，非常适合服务器电源与数据中心、通信基地台电源、电池管理系统(BMS)、48 V电池开关以及电动两轮/三轮车等应用。我们致力于提供先进的电力电子解决方案，协助客户实现高效能、小体积、高可靠的产品设计，满足不断演进的市场需求，为永续资通讯(ICT)设施和全球节能减碳目标贡献力量。

产品推荐：

80V耐压功率MOSFET产品 — iMN007N08T , RDS(on)=0.7mΩ(typ. @10V)

100V耐压功率MOSFET产品 — iMN009N10T , RDS(on)=1.05mΩ(typ. @10V)

100V耐压功率MOSFET产品 — iMN01N10T , RDS(on)=1.2mΩ(typ. @10V)

150V耐压功率MOSFET产品 — iMN035N15T , RDS(on)=3.2mΩ(typ. @10V)

关于广闳科技

广闳科技( inergy Technology Inc.)是专注于节能应用之IC设计公司，三大核心产品：功率金氧半场效电晶体、无刷直流马达驱动控制模组、数位类比可程式化SoC散热风扇驱动IC，提供低碳、低耗能的高能源效率产品，从IC到电机/电池/电源管理创新系统设计方案。

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