DATE
2026/04/27
[ 产品讯息 ]
广闳科技推出碳化矽萧特基二极体(SiC SBD)：以高功率、低漏电助力高效电源设计
新竹 – 2026年4月27日 — 广闳科技推出碳化矽萧特基二极体 (Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes, SiC SBD)系列，首波发表 8 款650V规格元件，电流涵盖 4A 至 10A，已量产TO252-2L 及TO220-2L 两款封装，为工业级电源与高功率电源应用提供更稳定、高效的解决方案。
相较于传统矽基元件(Silicon-based)，碳化矽（SiC）元件依据宽能隙材料优势，具备极低导通电阻，与出色的高温、高压、高频运作性能。此系列产品，具优异的反向漏电流(IR)规格，在125℃，600V时的反向漏电低于100nA，与同规格的矽基快速恢复二极体(Si-FRD)相比，漏电仅为其百分之1。低漏电特性，可减少热消耗与传导损耗，强化系统稳定性与可靠度，满足高阶工业电源、储能、数据中心伺服器应用需求。此系列主要特性：
- 极大化功率密度：宽能隙（Wide Bandgap）材料优势，支援高压、高频且耐高温的运作环境，有助于缩减电感、电容等元件的体积，极大化电源模组的功率密度。
- 低损耗高稳定： 优于传统矽基元件的漏电表现，减少热消耗与传导损耗，提升系统稳定性与可靠度。
面对全球电力电子领域对高效电力转换需求的急遽增加，宽能隙半导体已成为关键。广闳科技依据深厚的矽基元件(Silicon-based)研发经验，积极布局碳化矽(SiC)产品，协助合作夥伴解决在高功率密度下的热管理与能量损耗瓶颈，共同驱动高效能电源系统的全面升级。
关于广闳科技
广闳科技( inergy Technology Inc.)是专注于节能应用之IC设计公司，三大核心产品：功率金氧半场效电晶体、无刷直流马达驱动控制模组、数位类比可程式化SoC散热风扇驱动IC，提供低碳、低耗能的高能源效率产品，从IC到电机/电池/电源管理创新系统设计方案。
